اس اس دی سامسونگ Samsung SSD EVO 960 1TB
با درایوهای جامد اس اس دی سامسونگ Samsung SSD EVO 960 1TB قدرت پنهان سیستم کامپیوتری خود را آشکار کنید و با بهره گیری از رابط قدرتمند PCIe، ابعاد کوچک و ظرفیت فراوان این محصولات، عملکرد و قدرت پردازش خیره کننده ای را برای اجرای نرم افزارها و امور جاری سیستم خود فراهم نمائید.
انتخابی هوشمندانه از خانواده درایوهای NVMe
درایوهای جامد SAMSUNG EVO 960 1TB به عنوان یک انتخاب هوشمندانه برای افزایش عملکرد سیستم های دسکتاپ محسوب می شوند. بکارگیری رابط قدرتمند NVMe در کنار کنترلر بهینه و تکنولوژی انحصاری TurboWrite موجب ارتقای سطح عملکرد و کارایی سیستم های کامپیوتری خواهد شد.
انتظارات خود را بالا ببرید
درایوهای جامد مبتنی بر رابط NVMe در مقایسه با درایوهای جامد SATA از عملکرد به مراتب بهتری در زمینه بارگذاری و ذخیره سازی اطلاعات برخوردار می باشند و درایوهای جامد SAMSUNG EVO 960 1TBبا بهره گیری از قابلیتهای این رابط قدرتمند و کنترلر پیشرفته Polaris به اعداد نجومی ۳۲۰۰ و ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه در خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات دست یافته و در زمینه تبادل دستورات ورودی و خروجی (IOPS) نیز به ارقام خیره کننده ۳۸۰ و ۳۶۰ هزار دستور در ثانیه تجاوز می نمایند که با بهره گیری از تکنولوژی TurboWrite میتوان سرعت نوشتاری این محصولات را بیش از پیش بهبود بخشید.
عملکرد مطمئن با اس اس دی سامسونگ ظرفیت۱ترابایت Samsung EVO 960 1TB
درایوهای جامد SAMSUNG EVO 960 1TB با برخورداری از ظرفیت نوشتاری ۴۰۰ترابایت (در مدل ۱ ترابایتی) عملکرد مطمئن و پایدار خود را به صورت مداوم حفظ کرده و با بهره گیری از سیستم حفاظت دمایی از بروز مشکلات دمایی و تخریب اطلاعات ذخیره شده جلوگیری نموده و عملکرد بهینه محصول را تضمین می نمایند.
مدیریت درایو جامد به شکل جادویی
نرم افزار مدیریتی Magician با برخورداری از رابط کاربری جدید امکان کنترل، نظارت و مدیریت آسان درایو جامد را همراه با امکانات متنوع در اختیار کاربر قرار میدهد. این نرم افزار با بروزرسانی خودکار میان افزار (FirmWare)، میزان کارایی و بهره وری درایو جامد را افزایش داده و عملکرد مطمئن و بهینه آن را به صورت مستمر حفظ می نماید.
مشخصات فنی اس اس دی سامسونگ Samsung SSD EVO 960 1TB :
استاندارد M.2 بر روی رابط قدرتمند PCIe 3.0 x4 NVMe 1.2
سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات : ۳۲۰۰ مگابایت در ثانیه
سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات : ۱۹۰۰ مگابایت در ثانیه
بیشینه سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در آزمون ۴KB/QD32 به ترتیب ۳۸۰۰۰۰ و ۳۶۰۰۰۰ دستور ورودی-خروجی در دقیقه (IOPS)
سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در آزمون ۴KB/QD1 به ترتیب ۱۴۰۰۰ و ۵۰۰۰۰ دستور ورودی-خروجی در دقیقه (IOPS)
کنترلر Samsung Polaris
حافظه های فِلش Samsung V-NAND
ابعاد : ۸۰٫۱۵ × ۲۲٫۱۵ × ۲٫۳۸ میلیمتر
وزن : ۸ گرم
۱ گیگابایت حافظه کَش LPDDR3
پشتیبانی از دستور TRIM و قابلیت S.M.A.R.T
عمر مفید ۱٫۵ میلیون ساعت
بیشینه توان مصرفی در حالت بیکاری و فعال به ترتیب ۵٫۷ وات و ۴۰ میلی وات
قابلیت DevSleep با توان مصرفی ۵ میلی وات
سیستم هوشمند جمع آوری اطلاعات زائد (Garbage Collection)
کدگذاری ۲۵۶بیتی AES و پروتکلهای امنیتی TCG/Opal
